染色體的數(shù)量和結構畸變是核醫(yī)學主任技師考試需要了解的知識點，醫(yī)學|教育網(wǎng)搜集整理了相關資料，便于各位同學復習備考！

細胞在分裂過程中染色體的數(shù)量和結構發(fā)生變化稱為染色體畸變（chromosomeaberration）?；兛梢宰匀话l(fā)生，稱自發(fā)畸變（spontaneous aberration）。許多物理、化學因素和病毒感染可使畸變率增高。電離輻射是畸變誘發(fā)因素，其原因是電離粒子穿透染色體或其附近時，使染色體分子電離發(fā)生化學變化而斷裂。

（一）染色體數(shù)量變化

照射時染色體發(fā)生粘著，在細胞分裂時可能產(chǎn)生染色體不分離現(xiàn)象，致使兩個子細胞中染色體不是平均分配，生成非整倍體（aneuploid）細胞。

（二）染色體結構變化

1.染色體型畸變：當染色體在復制之前受照射（即細胞處于G1期或S期初期受照射），染色體發(fā)生畸變之后再進行復制，稱染色體型畸變。斷片、著絲粒環(huán)、雙著絲粒體、相互易位、倒位及缺失等畸變屬于這一類。

（1）斷片， （2）雙著絲點 （3）環(huán)

2.染色單體型畸變：當染色體復制之后受照射（即細胞處于S期后期或G2期受照射），在一個染色單體臂上發(fā)生斷裂或裂隙，稱為染色單體型畸變（chromatid aberration）。單體斷片、單體互換等屬這一類。

電離輻射誘發(fā)的畸變以染色體型畸變?yōu)橹?，尤以斷片，環(huán)和雙著絲粒體等畸變，在反映輻射效應的程度方面更有意義。